随着电容C1两端电压的增加，VT1 B极的电压逐渐降低，使得晶体管VT2逐渐退出饱和区，其集电极电流开始减小，变压器T初级绕组产生的磁通量也开始减小。在变压器T的12个绕组中感应的负反馈电压使VT2快速关断，完成一个振荡周期。在VT2的截止期间，变压器T的第13绕组感应出大约5.5V的交流电压作为后级的充电电压。
1、晶体管导通 压降是Vbe电压NPN 压降是基极电平比发射极电平高0.7V，PNP是发射极电平比基极电平高0.7V2，另一个是饱和压降是导通表示当eb引脚和ec引脚之间有电流时，发射极结正向偏置，即压降。晶体管按极性分为npn和pnp，按材料分为锗和硅。
普通整流器和开关二极管的正向压降根据型号不同，不能在0.4V左右，肖特基二极管的正向压降更低；LED 压降正向最低1.6V左右，最高2 ~ 3V。与普通二极管有一些相似之处，如:导通，并在电流变化时保持不变压降。由于功能不同导通 压降都比普通二极管大，而且由于发光性能的需要，引线结构也与普通二极管略有不同。发光二极管和普通二极管最大的区别就是导通电流和电压不一样。以发光二极管为例，红灯色，导通电压降约为1.7V，-。白光发光二极管，导通 压降，3V，功率达到10 W以上，普通二极管硅管导通，压降在0.6V左右，锗管在0.3V左右，至于二极管，频率和电流有差异，主要由PN结决定。
LED的结构和发光原理人们在50年前就已经知道了半导体材料可以发光的基本知识。第一个商用二极管是在1960年生产的。LED在英语中代表lightemittingdiode。它的基本结构是一块电致发光半导体材料，用引线放在架子上，然后用环氧树脂密封，保护内芯线，所以led抗震性能好。LED的核心是由P型半导体和N型半导体组成的晶片。P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。
PN结加反向电压时，少数载流子很难注入，所以不发光。这种利用注入电致发光原理制成的二极管称为发光二极管，俗称led。当处于正向工作状态时(即两端加直流电压)，当电流从LED的阳极流向阴极时，半导体晶体发出从紫外到红外不同颜色的光，光的强度与电流有关。具体看这里。
8、 导通 压降与死区的开启电压区别你没有说明这个问题属于哪个方面(或领域)，说明你不够重视！应该是关于PN结的。死区电压(导通电压)指的是结的正向电流从几乎为零转向明显增加的结电压，此时正向电流仍然不够大，无法满足电路应用。导通 压降是PN结正向电流较大且工作在几乎直线区时的结，此时，结压降在正向电流变化时基本不变。导通 压降>开启电压。
