MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快,双极晶体管的增益为定义作为输出与输入电流之比(β),其主要原理如图所示:功能:由于MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近,公共P沟道是低压Mos晶体管,定义:mostube，是集成电路中的绝缘场效应管。
双极晶体管放大输入电流的微小变化，并输出输出电流的较大变化。双极晶体管的增益为定义作为输出与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其跨导，定义是输出电流的变化与输入电压的变化之比。市场上常见n通道和P通道。详见右图(N沟道耗尽型MOS晶体管)。公共P沟道是低压Mos晶体管。场效应晶体管这个名字也来自于它的输入端(称为栅极)，通过在绝缘层上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体，所以场效应管的栅极电流很小。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管。因为MOS晶体管更小且更节能，所以在许多应用中已经取代了双极晶体管。
HC2017是内置MOS管的同步整流DC/DC降压芯片，外围性能稳定的简易5V3.1A车载充电芯片方案。内置低内阻的双NMOS可以有效提高效率，外围只需要一个简单的插件电容电感。为了避免在设计中使用双层板结构，对引脚设计进行了优化，大大增加了设计的合理性。
工作原理:MOS晶体管通过施加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快。其主要原理如图所示:功能:由于MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中CPU和AGP插槽附近排列了一组MOS管，内存插槽共用一组MOS管，一般以两组的形式出现在主板上。定义:mostube，是集成电路中的绝缘场效应管。它是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。或者金属-绝缘体-半导体
{3。
